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탄화규소는 높은 에너지 갭, 높은 열전도도, 높은 전자포화 드리프트율 등 우수한 물리적 특성을 지닌 3세대 반도체 소재다. 고온, 고전력, 고압, 고주파 및 전기 자동차, 통신, 에너지, 산업 등과 같은 기타 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있습니다.
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100%Prepay제품 원산지 :
China실리콘 카바이드 기판 웨이퍼
| 폴리타입 | 4H -SiC | 6H-SiC |
| 지름 | 2인치 | 3인치 | 4인치 | 6인치 | 2인치 | 3인치 | 4인치 | 6인치 |
| 두께 | 330±25μm | 330±25μm |
| 전도도 | N – 유형 / 반절연 | N – 유형 / 반절연 |
| 정위 | 축에서 <0001> | 축에서 <0001> |
| 축외 <0001> 끄기 4° | 축외 <0001> 끄기 4° | |
| 비저항 | 0.015 ~ 0.03옴-cm | 0.02 ~ 0.1옴-cm |
| (4H-N) | (6H-N) | |
| 마이크로파이프 밀도(MPD) | 10/cm2 이하 ~ 1/cm2 이하 | 10/cm2 이하 ~ 1/cm2 이하 |
| TTV | 15μm 이하 | 15μm 이하 |
| 활 / 워프 | 25μm 이하 | 25μm 이하 |
| 표면 | DSP/SSP | DSP/SSP |
| 등급 | 생산/연구등급 | 생산/연구등급 |
| 격자 매개변수 | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| Eg/eV(밴드갭) | 3.27eV | 3.02eV |
| ε(유전율) | 9.6 | 9.66 |
| 굴절률 | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
| 참고: 우리는 맞춤형을 제공할 수 있습니다. 저희에게 연락을 환영합니다. |
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애플리케이션:
1, 전력 전자 장치: 탄화규소 웨이퍼는 고전압을 견디고 고온에서 작동하는 능력을 갖고 있어 전력 전자 장치 분야에서 널리 사용됩니다.
2, 광전자 장치: 실리콘 카바이드 칩은 조명, 디스플레이 및 통신과 같은 분야에서 사용하기 위해 고휘도 LED(발광 다이오드)로 만들 수 있습니다. 또한 탄화 규소 웨이퍼는 광전 변환 효율이 높고 수명이 긴 태양 전지를 제조하는 데에도 사용할 수 있습니다.
3, 적외선 감지기 : 탄화 규소 웨이퍼는 적외선에 대한 감도가 높기 때문에 적색 감지기 분야에서 널리 사용됩니다.
4, 자동차 전자 장치: 실리콘 카바이드 웨이퍼의 고온 작업 능력과 높은 압력 저항으로 인해 자동차 전자 분야에서 이상적인 재료가 됩니다.
자주하는 질문:
1: 최소 주문 수량은 얼마입니까?
재고가 있으므로 필요한 수량을 알려주시면 재고 수량을 확인하겠습니다. 재고가 없는 경우 보유하고 있는 자재에 따라 재고가 결정됩니다.
2: 생산 시간은 무엇입니까?
재고가 있는 경우 리드타임은 약 2~3주입니다. 생산이 필요한 경우 리드타임은 수량에 따라 논의해야 합니다.
3: 지불 방법은 무엇입니까?
일반적으로 다른 방법이 필요한 경우 TT로 문의하시기 바랍니다.
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