제품
Czochralski 단결정 실리콘 웨이퍼
성장 방법:CZ
주요 공정은 다결정 실리콘을 도가니에 넣고 가열하여 녹인 다음 단결정 실리콘 종자 결정을 클램핑하여 도가니 위에 매달는 것입니다. 직선으로 당길 때에는 한쪽 끝을 용융물에 녹일 때까지 삽입한 후 천천히 회전시켜 위로 잡아당깁니다. 이런 식으로 액체와 고체의 경계면에서 점진적인 응축이 일어나 단결정이 형성됩니다. 전체 과정은 종결정을 복제하는 과정으로 볼 수 있으므로, 생성된 실리콘 결정은 단결정 실리콘이다.
초크랄스키법은 상대적으로 탄소와 산소 함량이 높고 불순물과 결함이 많지만 비용이 저렴하다. 일반적으로 Cz 실리콘 웨이퍼 도펀트 인,Boron,Sb,As.
제품 번호 :
002주문(MOQ) :
1지불 :
100% prepay제품 원산지 :
ChinaCZ 실리콘 웨이퍼
| 성장 방법 | CZ, MCZ |
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| 지름 | 2인치,3인치 | 4인치,5인치 | 6인치 | 8 인치 | 12인치 |
| 두께(음) | 100, 150, 280, 450, 500, 525, 1000, 2000, 3000, 귀하의 요청에 따라 다른 두께 | 200, 450, 500, 525, 1000, 2000, 3000, 5000 귀하의 요청에 따라 다른 두께 | 625, 675, 1000 귀하의 요청에 따라 다른 두께 | 650 725, 1000 귀하의 요청에 따라 다른 두께 | 775, 귀하의 요청에 따라 다른 두께 |
| 정위 | (100),(111),(110) | (100),(111),(110) | (100),(111),(110) | (100),(111),(110) | (100),(111) |
| 유형 | N,P | N,P | N,P | N,P | P |
| 도펀트 | 포스,붕소,As,Sb | 포스,붕소,As,Sb | 포스,붕소,As,Sb | 포스,붕소 | 붕소 |
| 저항률(Ohm.cm) | <0.1，<0.01,1-10,1-100，귀하의 요청에 따라 기타 | <0.1，<0.01,1-10,1-100，귀하의 요청에 따라 기타 | <0.1，<0.01,1-10,1-100，귀하의 요청에 따라 기타 | <0.1，<0.01,1-10,1-100，귀하의 요청에 따라 기타 | <1, 1-100 |
| TTV(음) | <10 | <10，<5 | <10，<5 | <10，<5，<3 | <10，<5，<3 |
| 활(음) | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40 |
| 워프(음) | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40 | <30，<40
|
| 입자 | <[email protected], 귀하의 요청에 따라 기타 | <[email protected], 귀하의 요청에 따라 기타 | <[email protected], 귀하의 요청에 따라 기타 | <[email protected], 귀하의 요청에 따라 기타 | <[email protected], 귀하의 요청에 따라 기타 |
| 참고: 우리는 맞춤형을 제공할 수 있습니다. 저희에게 연락을 환영합니다. | |||||
애플리케이션:
실리콘 웨이퍼 기판은 반도체, 광전자공학, 에너지 등의 분야에서 광범위하게 응용됩니다. 독특한 물리적 특성과 제조 공정으로 인해 실리콘 웨이퍼 기판은 많은 장치 제조의 기본 재료가 되었습니다.
자주하는 질문:
1: 최소 주문 수량은 얼마입니까?
재고가 있으므로 필요한 수량을 알려주시면 재고 수량을 확인하겠습니다. 재고가 없는 경우 보유하고 있는 자재에 따라 재고가 결정됩니다.
2: 생산 시간은 무엇입니까?
재고가 있는 경우 리드타임은 약 2~3주입니다. 생산이 필요한 경우 리드타임은 수량에 따라 논의해야 합니다.
3: 지불 방법은 무엇입니까?
일반적으로 다른 방법이 필요한 경우 TT로 문의하시기 바랍니다.
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