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실리콘 웨이퍼 절단은 주로 반도체, 광전자공학, 태양에너지 분야에서 사용되며, 칩과 광전자부품을 제조하는 중요한 공정 중 하나입니다.
우리는 어떤 인치의 실리콘 웨이퍼 주사위라도 작은 조각으로 제공할 수 있습니다.
반도체 분야에서 실리콘 웨이퍼 절단은 칩 제조에 필요한 공정인 반면, 광전자공학 및 태양에너지 분야에서는 실리콘 웨이퍼 절단이 광전자 칩 및 태양광 패널 제조의 핵심 단계입니다. 실리콘 웨이퍼는 절단을 통해 다양한 모양과 크기의 칩과 디바이스로 가공될 수 있으며, 이는 휴대폰, 컴퓨터, 태블릿 등 전자제품은 물론 광학, 의료, 항공 등 다양한 분야에 널리 사용됩니다.
현재 사용되는 주요 실리콘 웨이퍼 절단 방법은 다음과 같습니다.
1. 기계적 절단: 다이아몬드 절단 디스크를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 절단하면 매우 직선 절단이 가능하지만 절단 속도가 느리고 조각이 발생하기 쉽습니다.
2. 레이저 절단: 레이저 빔을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 절단하는 것은 매우 빠르지만 고가의 장비와 숙련된 기술 작업이 필요하며 생성된 먼지로 인해 장비에 해를 끼칠 수 있습니다.
3. 이온빔 절단: 이온빔을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 절단하는 것은 빠르지만 값비싼 장비와 공정이 필요하고 실리콘 웨이퍼 표면에 특정 잔류물이 남습니다.
4. 판금 절단: 절단 도구를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 분할하는 방식으로 두꺼운 실리콘 웨이퍼에 적합하지만 절단이 고르지 않고 절단 속도가 느립니다.
당사 재고의 일부
품목 번호. | 재료 | 지름 | 표면 | 유형 | 정위 | 두께 | 비저항 | 크기 |
HC156 | 실리콘 웨이퍼 | 3인치 | SSP | P | 110 | 380±10um | 0.08-0.1옴.cm | 10*10mm |
HC310 | 실리콘 웨이퍼 | 5인치 | SSP | P | 100 | 525±15um | 5-12Ω.cm | 10*10mm |
HC732 | 실리콘 웨이퍼 | 6인치 | SSP | P | 100 | 675±15um | >10000Ω.cm | 10*10mm |
HC594 | 실리콘 웨이퍼 | 6인치 | SSP | N | 100 | 625±15um | 2000-10000옴.cm | 10*10mm |
HC289 | 실리콘 웨이퍼 | 8인치 | SSP | P | 100 | 670±15um | 2-100Ω.cm | 10*10mm |
HC235 | 실리콘 웨이퍼 | 4인치 | SSP | N | 111 | 525±15um | 0-100Ω.cm | 3*3mm |
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